• 3QLB 타입 고전압 정류기 3 상 브리지

    3QLB 타입 고전압 정류기 3 상 브리지

    1. 낮은 누설, 서지 저항, 충격에 강한. 2. 큰 눈사태 전압 브레이크 다운 보호 기능. 3. 높은 내열성, PN 접합 온도 피크 130 ℃ 4. 환경 친화적 인 공정, 국제 표준 5. 부식 방지 표면을 가진 에폭시 수지 성형 진공 패키지 사용

  • QLB 타입 고압 정류기 Full-phase Bridges

    QLB 타입 고압 정류기 Full-phase Bridges

    1. 각종 크기는 주문을 받아서 만들어지고, 임명 및 배선은 쉽다 2. 낮은 순방향 전압 강하, 낮은 누설 전류 3. 눈사태 브레이크 다운 보호 4. 높은 서지 전류 방전 충격 5. 접합 온도 150 ~ 175 ℃, 우수한 고온 성능 6. 표면에 부식 방지 특성을 지닌 에폭시 패키지

  • 다중 홀 유형 고전압 스택

    다중 홀 유형 고전압 스택

    1. 다이 칩 어셈블리 생산을위한 국제 최신 기술 채택 2. 낮은 누설 전류, 저전력, 높은 신뢰성. 3. 순간적인 높은 전류에 대한 우수한 충격 저항. 4. 역 사태 (avalanche breakdown). 5. 작동 온도 -40 oC. ~ + 130 oC .. 6. 다양한 크기 또는 사용자 정의 7. 고전압 정류기, 절연 및 회로 보호 효과.

  • 우산 형 고전압 스택

    우산 형 고전압 스택

    1. 다이 칩 어셈블리 생산을위한 국제 최신 기술 채택 2. 낮은 누설 전류, 저전력, 높은 신뢰성. 3. 순간적인 높은 전류에 대한 우수한 충격 저항. 4. 역 사태 (avalanche breakdown). 5. 작동 온도 -40 oC ~ + 130 oC .. 6. 다양한 크기 또는 사용자 정의 7. 고전압 정류기, 절연 및 회로 보호 효과.

  • Trapeziform 고전압 스택

    Trapeziform 고전압 스택

    1. 다이 칩 어셈블리 생산을위한 국제 최신 기술 채택 2. 낮은 누설 전류, 저전력, 높은 신뢰성. 3. 순간적인 높은 전류에 대한 우수한 충격 저항. 4. 역 사태 (avalanche breakdown). 5. 작동 온도 -40 oC. ~ + 130 oC .. 6. 다양한 크기 또는 사용자 정의 7. 고전압 정류기, 절연 및 회로 보호 효과.

  • 방열판 유형 고전압 스택

    방열판 유형 고전압 스택

    1. 다이 칩 어셈블리 생산을위한 국제 최신 기술 채택 2. 낮은 누설 전류, 저전력, 높은 신뢰성. 3. 순간적인 높은 전류에 대한 우수한 충격 저항. 4. 역 사태 (avalanche breakdown). 5. 작동 온도 -40 oC. ~ + 130 oC .. 6. 다양한 크기 또는 사용자 정의 7. 고전압 정류기, 절연 및 회로 보호 효과.

  • 직사각형 고전압 스택

    직사각형 고전압 스택

    1. 다이 칩 어셈블리 생산을위한 국제 최신 기술 채택 2. 낮은 누설 전류, 저전력, 높은 신뢰성. 3. 순간적인 높은 전류에 대한 우수한 충격 저항. 4. 역 사태 (avalanche breakdown). 5. 작동 온도 -40 oC. ~ + 130 oC .. 6. 다양한 크기 또는 사용자 정의 7. 고전압 정류기, 절연 및 회로 보호 효과.

  • 직사각 세라믹 고전압 다이오드

    직사각 세라믹 고전압 다이오드

    1. 고효율 냉각 세라믹 패키지 2. 우수한 고온 성능 3. 실리콘 칩은 금 코팅 기술 채택 4. 높은 칩 통합 5. 신뢰성있는 연결 및 설치 용이

  • 원통형 세라믹 고전압 다이오드

    원통형 세라믹 고전압 다이오드

    1. 고효율 냉각 세라믹 패키지 2. 우수한 고온 성능 3. 실리콘 칩은 금 코팅 기술 채택 4. 높은 칩 통합 5. 신뢰성있는 연결 및 설치 용이

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