1. 다이 칩 생산을위한 국제 최신 기술 채택 2. 낮은 누설 전류, 저전력, 높은 신뢰성. 3. 순간적인 높은 전류에 대한 우수한 충격 저항. 4. 역 사태 (avalanche breakdown). 5. 작동 온도 -40 oC. ~ + 175 oC. 6. 다양한 크기 또는 사용자 정의 7. 역방향 복구 시간 Trr60 ~ 150nS 8. 회로에서 고전압 정류기, 절연 및 보호 효과. 9. 환경 친화적 기술 및 국제 표준 준수.

1. 다이 칩 생산을위한 국제 최신 기술 채택 2. 낮은 누설 전류, 저전력, 높은 신뢰성. 3. 순간적인 높은 전류에 대한 우수한 충격 저항. 4. 역 사태 (avalanche breakdown). 5. 작동 온도 -40 oC. ~ + 175 oC. 6. 다양한 크기 또는 사용자 정의 7. 역방향 복구 시간 Trr60 ~ 150nS 8. 회로에서 고전압 정류기, 절연 및 보호 효과. 9. 환경 친화적 기술 및 국제 표준 준수.

1. 낮은 누설, 낮은 전력 손실, 높은 신뢰성. 2. 우수한 즉각적인 큰 전류 충격 저항 기능. 3. 좋은 반전 눈사태 고장 특징 4. Tj : -40 ℃ - + 120 ℃ 5. 다양한 차원은 선택되거나 주문을 받아서 만들어 질 수있다. 6. 환경 보호? 프로세스, 국제 표준에 부합한다.

1. 낮은 누설, 낮은 전력 손실, 높은 신뢰성. 2. 우수한 즉각적인 큰 전류 충격 저항 기능. 3. 좋은 반전 눈사태 고장 특징 4. Tj : -40 ℃ - + 120 ℃ 5. 다양한 차원은 선택되거나 주문을 받아서 만들어 질 수있다. 6. 환경 보호? 프로세스, 국제 표준에 부합한다.

1. 낮은 누설, 서지 저항, 충격에 강한. 2. 큰 눈사태 전압 브레이크 다운 보호 기능. 3. 높은 내열성, PN 접합 온도 피크 130 ℃ 4. 환경 친화적 인 공정, 국제 표준 5. 부식 방지 표면을 가진 에폭시 수지 성형 진공 패키지 사용

1. Adopting international latest technology for the production of die chips 2. Low leakage current, low power, high reliability. 3. Excellent impact resistance for instantaneous high current. 4. Reverse avalanche breakdown. 5. Working temperature-40 oC. ~+175 oC. 6. Various sizes or customized 7. Reverse recovery time Trr60～150nS 8. High voltage rectifier, isolation and protective effect in circuits. 9. Environmental-friendly technology and complying with international standards.

1. Adopting international latest technology for the production of die chips 2. Low leakage current, low power, high reliability. 3. Excellent impact resistance for instantaneous high current. 4. Reverse avalanche breakdown. 5. Working temperature-40 oC. ~+175 oC. 6. Various sizes or customized 7. Reverse recovery time Trr60～150nS 8. High voltage rectifier, isolation and protective effect in circuits. 9. Environmental-friendly technology and complying with international standards.

1. 서지 과부하 정격 -200A 암페어 피크 2. 인쇄 회로 기판에 이상적 3. 성형 플라스틱 기술을 이용한 신뢰할 수있는 저렴한 구조 4. 플라스틱 재질에는 U / L이 있음 5. 장착 위치 : Any

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